薄膜(半导体)材料制备和表征
 
电子束蒸发系统 (E-Beam)
磁控溅射系统 (Sputter)
脉冲激光沉积系统(PLD)
等离子增强化学气相沉积系统
低压化学气相沉积(LPCVD)
(深)反应离子蚀刻系统(RIE)
脉冲等离子体沉积(PPD)
纳米团簇沉积系统
超高真空表面分析系统
CIGS薄膜太阳能电池沉积系统
原子层沉积系统 (ALD)
快速退火炉 (RTP)
光刻机/紫外曝光机
匀胶机
霍尔效应测量仪
变温霍尔效应测量仪
光致发光扫描系统 (PL)
电化学CV(ECV,C-V Profiler)
非接触迁移率/电阻率测量仪
探针台
低温探针台 (Cryogenic Probe Station)
定制变温真空探针台(90K-570K)
光谱型椭偏仪
膜厚仪
深能级瞬态谱仪(DLTS)
表面材料分析
 
阴极荧光分析系统 CL
扫描开尔文探针系统
表面等离子体共振仪(SPR)
显微操纵器 micromanipulator
等离子清洗机
接触角测量仪
飞行时间二次离子质谱
电镜用高纯单晶阴极灯丝
胶体及其他分散体系制备和表征
 
PALAS气溶胶发生器、稀释器
PALAS气溶胶粒径谱仪
气溶胶粒径及形状测定仪
生物气溶胶实时监测仪
尘埃粒子计数器
烟雾发生器、空气示踪器
高效过滤器评价系统
其他仪器和设备
 
低温恒温器/样品制冷系统/冷头 Cryostat/Cryocooler
太阳电池IV测试仪,太阳模拟器
傅立叶变换核磁共振波谱仪(FT-NMR)
高温超导磁体
宽频阻抗谱仪
锁相放大器
光反应器
便携式流变仪(型号:RC1)
红外热像仪
 
 
 
 
 
光致发hspace=0光扫描系统(PL Mapping)
原产国:韩国
 
应用领域
常规的光致发光测量;
III-V族化合物半导体材料光致发光测量;
荧光性;
LD, LED外延晶片PL扫描测量;

仪器特点
高品质及中等价位的PL扫描系统(高性价比);
波长范围宽广(UV-VIS-NIR, 350nm to 2.2um);
噪声低,高PL信号探测;
设计紧凑,易于调谐;
各种激发激光源可选;
易于发现峰及FWHM;

仪器规格
1 、光致发光样品腔
10x M-Plan镜头颜色修正,波长范围:350-1800nm
工作距离:30.5mm, 20mm FL, z轴可调
系统空间分辨率:10微米(1微米选配)
镜子带孔洞作为激光束及PL信号的通道
Iris光圈用于激光束的调整
可变ND过滤器用于激光能量的控制(99% to 2%)
10毫米孔洞PL信号校准镜头
马达控制的XY台,最大速度30毫米/秒,1微米扫描分辨率
2 & 4外延晶片样品盘
包括高分辨控制器和电缆
2、IG512近红外光谱仪,900-1700nm, 512像素, InGaAs阵列
25um x 500um像素尺寸,14bits, 2.5MHz数字转换器, f/4, 40mm FL
探测范围:900nm全谱,300gr/mm, 1um blaze grating
包括SMA905, 400um多模光纤,1米长
3、EPP2000-VIS(350-1150nm)用于紫外-可见光,衍射光栅光谱仪
f/4, symX-Czerny-turner类型
分辨率:1.6nm (50um狭缝,@600gr/mm grating)
包括2048像素CCD探测器,12bit数字转换器
600gr/mm grating
接口:USB-2&平行
SMA905光纤光学输入,0.22NA,400um多模光纤,1米长

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