薄膜(半导体)材料制备和表征
 
电子束蒸发系统 (E-Beam)
磁控溅射系统 (Sputter)
脉冲激光沉积系统(PLD)
等离子增强化学气相沉积系统
低压化学气相沉积(LPCVD)
(深)反应离子蚀刻系统(RIE)
脉冲等离子体沉积(PPD)
纳米团簇沉积系统
超高真空表面分析系统
CIGS薄膜太阳能电池沉积系统
原子层沉积系统 (ALD)
快速退火炉 (RTP)
光刻机/紫外曝光机
匀胶机
霍尔效应测量仪
变温霍尔效应测量仪
光致发光扫描系统 (PL)
电化学CV(ECV,C-V Profiler)
非接触迁移率/电阻率测量仪
探针台
低温探针台 (Cryogenic Probe Station)
定制变温真空探针台(90K-570K)
光谱型椭偏仪
膜厚仪
深能级瞬态谱仪(DLTS)
表面材料分析
 
阴极荧光分析系统 CL
扫描开尔文探针系统
表面等离子体共振仪(SPR)
显微操纵器 micromanipulator
等离子清洗机
接触角测量仪
飞行时间二次离子质谱
电镜用高纯单晶阴极灯丝
胶体及其他分散体系制备和表征
 
PALAS气溶胶发生器、稀释器
PALAS气溶胶粒径谱仪
气溶胶粒径及形状测定仪
生物气溶胶实时监测仪
尘埃粒子计数器
烟雾发生器、空气示踪器
高效过滤器评价系统
其他仪器和设备
 
低温恒温器/样品制冷系统/冷头 Cryostat/Cryocooler
太阳电池IV测试仪,太阳模拟器
傅立叶变换核磁共振波谱仪(FT-NMR)
高温超导磁体
宽频阻抗谱仪
锁相放大器
光反应器
便携式流变仪(型号:RC1)
红外热像仪
 
 
 
 
 
纳米团簇沉积系统(Nanocluster Deposition System)
原产国:英国
 
仪器概要hspace=0
英国Mantis公司是生产高质量沉积设备与部件的高科技公司,主要产品有:纳米团簇沉积源和系统、射频原子源和射频离子源、电子束蒸发和热气裂解器。超高真空的沉积系统采用通用设计,便于以后的升级。纳米团簇沉积设备可制备常规镀膜设备无法实现的纳米尺寸薄膜。克努森池、电子束蒸发台、热气裂解器与小离子和原子源可用于分子束外延、表面科学与物理气相沉积的极小尺度研究。175mm射频原子源或130mm射频离子源可以处理8”以上的衬底。
 
纳米团簇源和沉积系统
Mantis公司提供纳米粒子的沉积和表征设备,可产生几乎任何元素或合金材料的粒径可选的精确纳米粒子束。另外,产生的反应粒子可以沉积氧化物和氮化物的纳米团簇。公司还可为客户将现有的纳米粒子薄膜生长的真空腔或整个系统升级。
 
NanoGen50纳米团簇源
NanoGen50纳米团簇源使用独特的高压溅射源,可在结露区(condensation zone)沉积纳米颗粒。结露区内气流的特点确保束流尺寸分布的精确控制,使出射线束内的粒度保持高精确度。结露区独特的结构使纳米粒子与进入主沉积腔室载气的比例最大化。公司还可提供控制不同精度的源以适合于特殊的应用。可以产生小至30个原子大至半径15nm的纳米颗粒。
Nanogen源产生高比例的离化纳米粒子(可达40%)。在通常的运行条件下,产生的中性和离子化的粒子具有很低的动能,确保了粒子在随后的沉积中软着陆而保持原有的晶体结构。高度离子化使客户可以静电化处理大部分的粒子束,也可以加速离子化粒子到偏置表面,这样的加速粒子束可用于在室温下难以沉积的材料上如未处理的聚四氟乙烯和玻璃上产生高度粘附的薄膜。
 
MesoQ质谱过滤器
在NanoGen-50上可以装配MesoQ四极质谱滤波器,在线分析和进一步过滤106原子质量单位的纳米粒子束。过滤模式中四极质谱具有优于2%的极限粒径分辨率,可达到精确的粒径准确度。与Nanogen源合用时,当高比例粒子束被自然离化的时候,MesoQ在过滤模式中具有很高的滤过量。
 
NanoSys 500纳米团簇沉积设备
Mantis公司提供与超高真空兼容的沉积系统提出全套完整的纳米粒子沉积的解决方法。客户可选用标准的系统,也可根据特殊的需要定制系统。NanoGen纳米粒子源处于在系统的核心处,源的位置和副腔是经过特殊设计来最大化操纵这个源。标准的样品操纵器具有加热样品,偏离和旋转2英寸样品的特点。系统还预留多个窗口用于今后附加的沉积源,如用于薄膜结构或器件的纳米粒子的矩阵封装,视窗和操作进样所需的装片锁。
 

电子束蒸发器:
hspace=0
迷你型电子束蒸发器可进行难熔金属或高温陶瓷薄膜沉积,可以在最小束流的情况下最大控制蒸发速度,最重要的是对于敏感的应用领域如表面科学或薄膜掺杂,可以减小蒸汽的污染。
 
 
RF离子源:
hspace=0
加速离子束用于在真空条件下改性和刻蚀表面,通过选择离子束的能量和组成,可明显改善生长薄膜的性质如薄膜密度和化学组成等。离子束还可以用于刻蚀已有的薄膜或者溅射靶材在衬底上沉积薄膜,由于溅射的材料具有加速动能,所生成的薄膜具有非常好的性能。

 
RF原子源:
hspace=0
RF原子源可用于许多氧化物或氮化物半导体薄膜的生长,如GaN、GaInNAs、超薄Al2O3和高电介质常数材料,也可以应用于数据存储,催化剂薄膜和使用原子氢进行表面清洗。
 

如您需要报价或更多资料请

     
 
沪ICP备07009632号  © 科睿技术发展有限公司版权所有