科睿公司:接触角表面张力仪,霍尔效应仪,原子层沉积(ALD),开尔文探针,气溶胶,zeta电位

薄膜(半导体)材料制备和表征

→	电子束蒸发系统 (E-Beam)
→	磁控溅射系统 (Sputter)
→	脉冲激光沉积系统(PLD)
→	等离子增强化学气相沉积系统
→	低压化学气相沉积(LPCVD)
→	(深)反应离子蚀刻系统(RIE)
→	脉冲等离子体沉积(PPD)
→	纳米团簇沉积系统
→	超高真空表面分析系统
→	CIGS薄膜太阳能电池沉积系统
→	原子层沉积系统 (ALD)
→	快速退火炉 (RTP)
→	光刻机/紫外曝光机
→	匀胶机
→	霍尔效应测量仪
→	变温霍尔效应测量仪
→	光致发光扫描系统 (PL)
→	电化学CV(ECV,C-V Profiler)
→	非接触迁移率/电阻率测量仪
→	探针台
→	低温探针台 (Cryogenic Probe Station)
→	定制变温真空探针台(90K-570K)
→	光谱型椭偏仪
→	膜厚仪
→	深能级瞬态谱仪(DLTS)

表面材料分析

胶体及其他分散体系制备和表征

其他仪器和设备

→	低温恒温器/样品制冷系统/冷头 Cryostat/Cryocooler
→	太阳电池IV测试仪,太阳模拟器
→	傅立叶变换核磁共振波谱仪(FT-NMR)
→	高温超导磁体
→	宽频阻抗谱仪
→	锁相放大器
→	光反应器
→	便携式流变仪(型号:RC1)
→	红外热像仪

电化学ECV (ECV Profiler) – 载流子浓度分布测量

原产国：德国

型号：CVP21

仪器介绍：

电化学ECV主要用于半导体材料的研究及开发，其原理是使用电化学电容-电压法来测量半导体材料的掺杂浓度分布。

电化学ECV(CV-Profiler, C-V Profiler)也是分析或发展半导体光-电化学湿法蚀刻(PEC Etching)很好的选择。

仪器特点：

CVP21电化学ECV是半导体载流子浓度分布完美的解决方案：

1. CVP21应用范围宽，可以用于绝大多数的半导体材料。

* IV族化合物半导体如：硅(Si)、锗(Ge)、碳化硅(SiC)等…

* III-V族化合物半导体如：砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)、磷化镓(GaP)等…

* 三元III-V族化合物半导体如：铝镓砷(AlGaAs)、镓铟磷(GaInP)、铝铟砷(AlInAs)等…

* 四元III-V族化合物半导体如：铝镓铟磷(AlGaInP)等…

* 氮化物如：氮化镓(GaN)、铝镓氮(AlGaN)、铟镓氮(InGaN)、铝铟氮(AlInN)等…

* II-VI族化合物半导体如：氧化锌(ZnO)、碲化镉(CdTe)、汞镉碲(HgCdTe)等…

* 其他不常见半导体材料(可以联系我们进行样品测量)。

2. CVP21可用于不同形态的样品：多层结构的薄膜材料、基底没有限制(基底导电或绝缘均可)、标准样品尺寸从4*2mm ~ 8英寸晶圆(更小尺寸样品请预先咨询我们)。

3. CVP21拥有很好的分辨率范围。

* 载流子浓度分辨率范围从< 10¹² cm^-3 ~ > 10²¹ cm^-3

* 深度分辨率范围从1nm ~ 100um (依样品类型、样品质量决定)

4. CVP21是一套完整的电化学ECV测量系统。

* 系统可靠性高(仪器的电子、机械、光学、液体传动几个主要部分均经特殊设计)

* 免校准的系统(完全自校准的电子系统，电缆电容均无须用户再次校准)

* 易于使用(全用户管理软件优化，在实验室环境或生产环境均易于使用)

* 照相机镜头控制(过程在线由彩色照相机镜头控制；每次测量后，镜头数据均可取出。)

* 实验菜单(测量菜单预定义，优先权用户可以很容易修改或改进测量菜单)

* Dry-In/Dry-Out: Auto-Load/Unload/Reload (电化学样品池自动装载/卸载/再装载，优先权用户易于修改，进行样品dry-in/dry-out处理。)

电化学ECV与其他技术的特点比较：

Hall: 霍尔效应测量 SIMS:二次离子质谱 SRP:扩展电阻探针技术

Application requirement	Hall	SIMS	SRP	ECV
Monitor the doping concentration	√	√	√	√
Monitor the concentration of electrically activated dopants	√	×	√	√
Monitor the doping type (n or p)	√	×	×	√
Monitor the crystalline quality of the sample	×	×	×	√
Easy sample preparation	×	√	×	√
Easy equipment preparation (no calibration or standard samples required)	√	×	×	√
Easy contact preparation	×	√	√	√
Substrate may be conductive	×	√	√	√
Thickness of the epi layer may be unknown	×	√	√	√
Depth Profile may be measured	×	√	√	√
Depth resolution in the 1nm range possible	×	√	×	√
Several layers may be resolved	×	√	√	√
A broad range of semiconductors may be measured	√	√	×	√
Concentrations below 10¹⁴cm^-3 may be measured ^*)	√	×	×	√
Wafer topography may be analyzed	×	√	×	√
Measurement without prior mechanical or lithographic preprocessing	×	√	×	√
Photo-Electro-Chemical (PEC) etching may be evaluated	×	×	×	√
The surface may be etched/ passivated on start of the measurement	×	√	×	√

如您需要报价或更多资料请