|
低压化学气相沉积(LPCVD/Furnace)
原产国：韩国
技术规格：
熔炉管: 2-Tube (LPCVD工艺: 1tube/ 熔炉工艺:1tube)
晶圆大小: 4英寸或6英寸
装载晶圆数: 1--10张
基板加热用加热器: 垂直型1-Zone加热器
加热器表面温度: 1250C
最低真空度: < 0.005Torr
真空泵: 机械泵 (选项:罗茨泵 或者分子涡沦泵+机械泵)
工艺控制方式: 根据程序及顺序的自动方式
系统规格: 1660mm(W) X 600mm(D) X 1830mm(H)
用途:
氮化硅,低应力氮化硅；
多结晶硅, 掺杂多结晶硅；
氧化硅；
湿/干 氧化, 热处理；
LTO；
SiC epi； |
|
|
| |
|
