薄膜(半导体)材料制备和表征
 
电子束蒸发系统 (E-Beam)
磁控溅射系统 (Sputter)
脉冲激光沉积系统(PLD)
等离子增强化学气相沉积系统
低压化学气相沉积(LPCVD)
(深)反应离子蚀刻系统(RIE)
脉冲等离子体沉积(PPD)
纳米团簇沉积系统
超高真空表面分析系统
CIGS薄膜太阳能电池沉积系统
原子层沉积系统 (ALD)
快速退火炉 (RTP)
光刻机/紫外曝光机
匀胶机
霍尔效应测量仪
变温霍尔效应测量仪
光致发光扫描系统 (PL)
电化学CV(ECV,C-V Profiler)
非接触迁移率/电阻率测量仪
探针台
低温探针台 (Cryogenic Probe Station)
定制变温真空探针台(90K-570K)
光谱型椭偏仪
膜厚仪
深能级瞬态谱仪(DLTS)
表面材料分析
 
阴极荧光分析系统 CL
扫描开尔文探针系统
表面等离子体共振仪(SPR)
显微操纵器 micromanipulator
等离子清洗机
接触角测量仪
飞行时间二次离子质谱
电镜用高纯单晶阴极灯丝
胶体及其他分散体系制备和表征
 
PALAS气溶胶发生器、稀释器
PALAS气溶胶粒径谱仪
气溶胶粒径及形状测定仪
生物气溶胶实时监测仪
尘埃粒子计数器
烟雾发生器、空气示踪器
高效过滤器评价系统
其他仪器和设备
 
低温恒温器/样品制冷系统/冷头 Cryostat/Cryocooler
太阳电池IV测试仪,太阳模拟器
傅立叶变换核磁共振波谱仪(FT-NMR)
高温超导磁体
宽频阻抗谱仪
锁相放大器
光反应器
便携式流变仪(型号:RC1)
红外热像仪
 
 
 
 
 
红外热像仪    (Thermal Imaging Camera)
产地:韩国     
型号:TICA
 
技术参数:
1, FOV(视场): 23度 x 17度;
2, 最小焦距 :0.3m / 手动聚焦;
3, 探测器类型: 320 x 240像素, Uncooled Microbolometer;
4, Pixel Pitch: 23.5微米;
5, NETD: 0.08K at 30 摄氏度;
6, 最大桢速: 30Hz;
7, 光谱波宽: 7.5~14.0微米;
8, 输出:14Bit Digital USB2.0;
9, 电源:12V AC adapter 110/220 VAC, 50/60Hz;
10, 操作系统: WindowsXP, Windows7, CPU above 2.8GHz;
11, 图像温度:-20 ~ +500 摄氏度;
12, 操作温度:-15 ~ +50 摄氏度;
13, 放置温度:-40 ~ +70 摄氏度;
14, 重量尺寸:620克 / 70mm x 62mm x 137mm;
15, 仪器组成:TICA红外热像仪主机,三脚架,USB2.0电缆,AC适配器,用户手册及软件CD,箱子;
 
仪器特点:
-        热量分布监测;
-        PCB板, LED热分析和产品检测;
-        热测量范围:-20 ~ 500摄式度;
-        红外传感器像数:320 x 240;
-        最大帧数: 60Hz;
-        报警功能;
-        友好的软件界面:ThermoScan V2.0 and thermal analysis S/W;
-        RGB-format or IR-format 图像传输功能;
-        USB2.0接口控制像机模式;
 

如您需要报价或更多资料请

     
 
沪ICP备07009632号  © 科睿技术发展有限公司版权所有