薄膜(半导体)材料制备和表征
 
电子束蒸发系统 (E-Beam)
磁控溅射系统 (Sputter)
脉冲激光沉积系统(PLD)
等离子增强化学气相沉积系统
低压化学气相沉积(LPCVD)
(深)反应离子蚀刻系统(RIE)
脉冲等离子体沉积(PPD)
纳米团簇沉积系统
超高真空表面分析系统
CIGS薄膜太阳能电池沉积系统
原子层沉积系统 (ALD)
快速退火炉 (RTP)
光刻机/紫外曝光机
匀胶机
霍尔效应测量仪
变温霍尔效应测量仪
光致发光扫描系统 (PL)
电化学CV(ECV,C-V Profiler)
非接触迁移率/电阻率测量仪
探针台
低温探针台 (Cryogenic Probe Station)
定制变温真空探针台(90K-570K)
光谱型椭偏仪
膜厚仪
深能级瞬态谱仪(DLTS)
表面材料分析
 
阴极荧光分析系统 CL
扫描开尔文探针系统
表面等离子体共振仪(SPR)
显微操纵器 micromanipulator
等离子清洗机
接触角测量仪
飞行时间二次离子质谱
电镜用高纯单晶阴极灯丝
胶体及其他分散体系制备和表征
 
PALAS气溶胶发生器、稀释器
PALAS气溶胶粒径谱仪
气溶胶粒径及形状测定仪
生物气溶胶实时监测仪
尘埃粒子计数器
烟雾发生器、空气示踪器
高效过滤器评价系统
其他仪器和设备
 
低温恒温器/样品制冷系统/冷头 Cryostat/Cryocooler
太阳电池IV测试仪,太阳模拟器
傅立叶变换核磁共振波谱仪(FT-NMR)
高温超导磁体
宽频阻抗谱仪
锁相放大器
光反应器
便携式流变仪(型号:RC1)
红外热像仪
 
 
 
 
 
快速退火炉 (Rapid Thermal Processing System, RTP)hspace=0
生产商:ECOPIA Corp
型   号:RTP-1300, RTP-1200
 
1)主要技术规格
加热方式:红外卤素钨灯;
卤灯数量:12支;
功率:600W * 12ea;
最快升温速率:60~80℃/Second;
最快降温速率:60秒(1000℃ → 400℃);
最高温度:1200℃;
温度精度:+/- 1℃;
最大样品尺寸:4英寸;
工作环境:真空、气体(氮气、氩气、氧气、Forming Gas)、空气;
真空泵及极限压力:机械泵,10-3Torr水平(Option);
电压:220 V,单相;
尺寸:500*400*500mm (W*D*H);
质量:净重55Kg;
 
2)仪器特点
- 可在真空/不同气氛/空气不同环境下,对样品进行快速热处理;
- 温控精度高;
- 适合高校或研究所科研使用;
- 循环水冷却系统;
- 台式设计;
- 仪器操作方便,样片装取容易;
- 价格合理,高性价比;
 
3)应用范围
- 快速热退火 (Rapid Thermal Annealing,RTA);
- 快速热氧化 (Rapid Thermal Oxidation,RTO);
- 快速热氮化 (Rapid Thermal Nitridation,RTN);
- 硅化 (Silicidation);
- 扩散 (Diffusion);
- 化合物半导体退火 (Compound Semiconductor Annealing);
- 离子注入后退火 (Implant Annealing);
- 电极合金化 (Contact Alloying);
- 晶向化和坚化 (Crystallization and Densification);
- 合金熔点分析;
- 薄膜沉积;  等等…
 

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